因此，国网公司光缆原位XRD表征技术的引入，可提升我们对电极材料储能机制的理解，并将快速推动高性能储能器件的发展。

在Cu上长出的六边形硼岛引起了注意，常州此类岛状生长模式，即V-W生长模式。绘制图4.生长过程中氧化的规避。

所以通过引入Al作为牺牲剂，电力地图让上游的Al与下游的Cu并排生长，此时Cu上的硼样品可以做到自始至终的完全无氧化。样品表面与内部的成分可以采用飞行时间-二次离子质谱（ToF-SIMS）来表征，通信逐层剖析暴露氧气2小时的样品可获得自上而下、通信自表面至靠近基底处的成分分布，可知B-信号在表层几nm最强，而BO2-信号则集中在深层区域，进一步证明了靠近基底的硼先氧化，B的氧化从底部（基底）开始。在Al和Cu基底上分别生长硼的结果表明，国网公司光缆Al比Cu和B更容易与氧气反应。

【成果简介】北京大学材料科学与工程学院刘磊研究员和中国科学院苏州纳米所崔义团队合作，常州考察了用常压化学气相沉积法在金属基底上制备的超薄硼纳米片的空气稳定性。绘制图1.样品形貌的表征与汽化现象的发现。

3.基底催化的证明准连续硼薄膜样品暴露在空气中的AFM表征显示，电力地图靠近基底的全膜先消失，即汽化从底部（与基底接触面）开始

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